Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSC048N025S G
Infineon Technologies

BSC048N025S G

Номер детали производителя BSC048N025S G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 25V 19A/89A TDSON
Упаковка PG-TDSON-8-1
В наличии 4131 pcs
Техническая спецификация BSC048N025S GPart Number GuideMultiple Devices 11/Dec/2009
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4131 Infineon Technologies BSC048N025S G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 35µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-1
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2670 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 21 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 19A (Ta), 89A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BSC048N025S G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для BSC048N025S G

Связанные детали для BSC048N025S G